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ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

字号:TT 2023-03-30 15:18 作者:安安 来源:南方家电网

同时实现业内出色 低 噪声 特性和超快反向恢复时间的 600V 耐压 Super Junction MOSFET R60xxRNx 系列 有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量,并降低功率损耗 全球知名半导

同时实现业内出色噪声特性和超快反向恢复时间的

600V耐压Super Junction MOSFETR60xxRNx系列

有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量,并降低功率损耗

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)在其600V耐压Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS”产品阵容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新产品,非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。

 

 

近年来,全球电力供应日趋紧张,这就要求设备要更加节能。据了解,电机所需的电力占全球电力总需求的50%左右。因此,在电机驱动中担负功率转换工作的逆变电路,越来越多地开始采用高效率MOSFET。另一方面,针对使用MOSFET时所产生的噪声,主要通过添加部件和改变电路图案等措施来处理,而这些措施需要花费相应的工时和成本,如何减少工时和成本已成为必须要攻克的课题。然而,通常情况下,由于降低功率损耗和降低噪声之间存在此消彼长的权衡关系,因此如何同时满足这两个参数的要求,也是必须要解决的课题。

在这种背景下,ROHM于2012年实现了具有业内超快反向恢复特性的Super Junction MOSFET PrestoMOS的量产,并且,由于该系列产品可大大降低设备的功耗而受到市场的高度好评。在此基础上,此次ROHM又推出“R60xxRNx系列”3款新产品,新产品通过优化结构而同时实现了业内出色的低噪声特性和业内超快的反向恢复时间。

新产品不仅继承了PrestoMOS的特点——超快反向恢复时间(trr*2)特性,同时还进一步降低了噪声。通过改进自有的Lifetime控制*3技术实现了40ns业内超快反向恢复时间,与普通产品相比,其开关损耗降低约30%,有助于进一步降低设备的功率损耗。另外,通过采用新开发的自有Super Junction结构,与普通产品相比,与反向恢复时间之间存在权衡关系的噪声也降低了约15dB(在ROHM测试条件下,比较40MHz时的表现)。新产品实现了业内优异的特性,有助于减少设备的抗噪声设计工时和部件数量。

新产品已于2022年12月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格500日元/个,不含税)。另外,新产品已于2023年3月开始网售,通过Ameya360,Sekorm等电商平台均可购买。

今后,ROHM将继续开发不同封装和低导通电阻产品,不断扩大高耐压MOSFET的产品阵容,通过助力各种设备降低功耗,来为解决环境保护等社会课题做出贡献。

 

 

<了解PrestoMOS>

Presto意为“非常快”,是源于意大利语的音乐术语。

PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌,该品牌的MOSFET产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点,还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。

*PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

 

 

<产品阵容>

 

 

<应用示例>

◇冰箱

◇换气扇

◇风扇电机

还适用于配备小型电机的各种设备。

<电商销售信息>

开始销售时间:2023年3月起

网售平台:Ameya360,Sekorm

在其他电商平台也将逐步发售。

 

 

<术语解说>

*1)Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET是晶体管的一种,根据器件结构上的不同又可细分为DMOSFET、平面MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与DMOSFET和平面MOSFET相比,Super Junction MOSFET在耐压和输出电流方面表现更出色,在处理大功率时损耗更小。

*2) trr:反向恢复时间(Reverse Recovery Time)

内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低,开关时的损耗越小。

*3) Lifetime控制

施加电压时移动的载流子(空穴或电子),从停止施加电压时到重新结合所需的时间称为“Lifetime”,通过在半导体晶体结构中故意制造缺陷来使其更容易重新结合的技术称为“Lifetime控制”技术。

 

责任编辑:编辑F组

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